特許

J-GLOBAL ID：200903099959980553

半導体装置の製造方法、及び、半導体装置、半導体製造装置

発明者： 上原 忠雄
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-046376
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237095
出願日： 2005年02月23日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】 半導体基板上の絶縁層にホールや金属層を形成した後に堆積膜による金属配線の変質、腐食が生じたり、純水洗浄によって半導体基板に静電気が蓄積されて放電破壊が生じて金属配線の電気的特性や外観の劣化が生じたりする不具合が比較的簡易に抑止される、歩留りの高い半導体装置の製造方法、及び、半導体装置、半導体製造装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成された絶縁層にホールを形成するホール形成工程(ステップS1)と、ホール形成工程(ステップS1)後に半導体基板に残留する残渣を除去する残渣除去工程(ステップS2)と、残渣除去工程(ステップS2)後に二酸化炭素ガスと酸素ガス又はオゾンガスとを混入した純水を用いて半導体基板を洗浄する洗浄工程(ステップS3)と、を備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁層にホールを形成するホール形成工程と、 前記ホール形成工程後に、前記半導体基板に残留する残渣を除去する残渣除去工程と、 前記残渣除去工程後に、二酸化炭素ガスと酸素ガス又はオゾンガスとを混入した純水を用いて前記半導体基板を洗浄する洗浄工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/90 A

Fターム (13件)：

5F033HH07 ,  5F033JJ07 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ96 ,  5F033SS11 ,  5F033XX18 ,  5F033XX21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 純水比抵抗調整装置及びウエハ洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-166434   出願人：ソニー株式会社