特許
J-GLOBAL ID：200903099960299533
キャビティー内の周波数変換された光学的ポンプ半導体レーザー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山崎 行造 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-578884
公開番号（公開出願番号）：特表2002-528921
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2002年09月03日
要約：
【要約】本発明におけるキャビティー内の周波数倍加外部キャビティーの光学的ポンプ半導体レーザーは、ブラッグ鏡部と利得部を含むモノリシックの表面エミッティング半導体層構造を含む。外部鏡及びブラッグ鏡部は、半導体層構造の利得部を含むレーザー空胴共振器を画定する。複屈折フィルターは、半導体構造の利得帯域特性内のレーザー放射の周波数を選択するために空胴共振器内に位置される。光学的非線形結晶は、複屈折フィルターと外部鏡との間の空胴共振器内に位置され、レーザー放射の選択された周波数を2倍にするように配置される。
請求項（抜粋）：
レーザーであって、 スペーサー層によって間隔を空けられた複数の賦活層を含む半導体多層表面エミッティング利得構造(16)と、 共振器光軸を有し、第1及び第2の鏡(14、20)によって境界をなされるレーザー共振器であって、前記利得構造内に形成される前記レーザー共振器と、 前記レーザー共振器内でレーザー放射を生成するために、前記利得構造にポンプ放射を送るよう配置されたポンプ放射源(24)と、 前記利得構造の構成の利得帯域幅内において前記レーザー放射の周波数を選択するために、前記レーザー共振器内に位置される波長選択装置(34)と、 を備えることを特徴とするレーザー。
IPC (5件)：
H01S 5/04
, G02F 1/37
, H01S 5/14
, H01S 5/18
, H01S 5/323
H01S 5/04
, G02F 1/37
, H01S 5/14
, H01S 5/18
, H01S 5/323
2K002AB12
, 2K002CA02
, 2K002HA20
, 5F073AA67
, 5F073AB16
, 5F073AB21
, 5F073AB25
, 5F073CA05
, 5F073CA07
, 5F073CA13
