特許
J-GLOBAL ID：200903099967903410
光導電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348261
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174294
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 受光によって発生したキャリアを効率よく補集できる新たな電極の構造を有し、紫外線にも優れた耐性を有する光導電素子を提供すること。【解決手段】 GaN系結晶からなるn型またはp型の高抵抗層を受光層1とし、該受光層の一方の面を受光対象光Lが入射する受光面1aとして、該受光面に、正負両極側のオーミック電極P、Qを互いに対向するように設けて、光導電素子を形成する。このとき、両電極P、Qを透明電極とする。これによって、受光層には電極直下部分にもキャリアが発生し、該キャリアをより効率よく捕集できるようになり、高感度となる。また、高抵抗層に電極を設ける場合に起こりやすい高接触抵抗の問題を解決できる。
請求項（抜粋）：
GaN系結晶からなるn型またはp型の高抵抗層を受光層として少なくとも有し、該受光層の一方の面は受光対象光が入射する受光面であり、該受光面には正負両極側のオーミック電極が互いに対向するように設けられ、該両オーミック電極の一部または全部が透明電極であることを特徴とする光導電素子。
Fターム (8件)：
5F088AA11
, 5F088AB07
, 5F088BA01
, 5F088BA13
, 5F088DA05
, 5F088FA02
, 5F088FA09
, 5F088LA05
