特許
J-GLOBAL ID:200903099969686050
絶縁伝熱構造体及びパワーモジュール用基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-093034
公開番号(公開出願番号):特開2006-278558
出願日: 2005年03月28日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】 発熱体側の熱を効率よく放熱体側に伝導させて放熱することができると共に、温度サイクルなどの作用によって熱変形を受けても長期にわたって安定した性能を発揮することができる絶縁伝熱構造体及びパワーモジュール用基板を提供すること。【解決手段】 純Al又はAl合金からなる板状の伝熱部材4の表面の少なくとも一部に絶縁層を備えた絶縁伝熱構造体1であって、前記絶縁層2は、Al2O3、Si3N4、AlNのうち、1又は2以上の組成からなるセラミックスが伝熱部材に直接成膜されたセラミックス層6を備えており、また、絶縁層2を構成し、積層されたセラミックス層6、7、8の熱膨張率は、前記伝熱部材4から絶縁層2の表面側に向かうにつれて、順次小さくなるように構成されていることを特徴とする。を特徴とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
純Al又はAl合金からなる板状の伝熱部材の表面の少なくとも一部に絶縁層を備えた絶縁伝熱構造体であって、
前記絶縁層は、Al2O3、Si3N4、AlNのうち、1又は2以上の組成からなるセラミックスが伝熱部材に直接成膜されたセラミックス層を備えていることを特徴とする絶縁伝熱構造体。
IPC (4件):
H01L 23/36
, H01L 23/12
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (3件):
H01L23/36 C
, H01L23/12 J
, H01L25/04 C
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (2件)
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放熱回路基板とその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-205251
出願人:東陶機器株式会社
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回路基板とその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-088014
出願人:独立行政法人産業技術総合研究所, 東陶機器株式会社, 明渡純
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