特許

J-GLOBAL ID：200903099992824397

縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法

発明者： 鳥羽 隆一
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-109871
公開番号（公開出願番号）：特開平6-298588
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：

【要約】【目的】 無転位もしくは極低転位の単結晶を容易に製造することができる縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法の提供。【構成】 まず、図1に示すような種保持細管部、増径部および定径部からなるPBN製の縦型ボート本体12に、 (001)方位のGaAs種結晶1をセットし、その上に蛇行した連通細管を有する焼結窒化ホウ素製の挿入部品3を載置する。なお、上記縦型ボートにおける種結晶保持細管部および挿入部品3は、わずかにテーパーを有しており、スリ合わせによって装着可能となっている。次いで、挿入部品3の上に、原料GaAs多結晶を充填し、原料および種結晶の一部を溶融し、種付界面2の位置で種付けを行う。その後、固液界面が下方より上方に向けて移動するように、縦型ボート法による結晶成長を行う。

請求項（抜粋）：

縦型ボート内における下部に種結晶、およびその上部に化合物半導体単結晶の原料融液を配置し、ボート下方より上方に向けて結晶を成長させる縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法であって、前記縦型ボートの下部に配置した種結晶における原料融液との種付界面上に、連通細管を有する挿入部品を載置しておくことを特徴とする縦型ボート法による化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 11/00 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-006194
  
• 結晶成長方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-225277   出願人：日本鉱業株式会社