特許
J-GLOBAL ID：200903099997913320
半導体ウェーハ支持装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021889
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199437
出願日： 1996年01月12日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハの周辺部でのスリップ発生を防止しつつ真空チャックアームを用いた半導体ウェーハの移載を容易にでき、熱容量が小さくかつ半導体ウェーハ裏面の傷及びパーティクルの発生を防止できる構成からなる熱処理用半導体ウェーハ支持装置の提供。【解決手段】 支持板10は一部が切れているリング状または支持されるウェーハ1と同形状で、支持板10とスリップガードリング(15部分)が一体化した構造とすることで、ウェーハの周辺部でのスリップ発生を防止し真空チャックアームを用いたウェーハの移載を容易にし、リング状であることにより支持板の熱容量を小さくし、RTP装置でのチャンバー下部光源によるウェーハ裏面からの温度制御を可能とし、ウェーハの形状にあわせて形成されているウェーハ厚の段差部13によってウェーハ裏面の傷及びパーティクルを発生させることなく支持板10からのウェーハ脱落を防止できる。
請求項（抜粋）：
載置する半導体ウェーハの外径よりも大きな外径を有し、内径部が載置する半導体ウェーハ外周と相似形でかつその内径が半導体ウェーハの外径よりも小さなリング板状で、その円弧の一部が切断された形状からなり、複数の脚で支持され、半導体ウェーハの外周部裏面と接触する支持板内周部が、半導体ウェーハと接触しない支持板の周辺部の上面よりも半導体ウェーハの厚み分だけ階段状に段差がある半導体ウェーハ支持装置。
IPC (4件)：
H01L 21/22 511
, C30B 33/02
, H01L 21/324
, H01L 21/68
H01L 21/22 511 G
, C30B 33/02
, H01L 21/324 D
, H01L 21/68 U
, H01L 21/68 B
