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J-GLOBAL ID：201402271211785778   整理番号：14A0413235

低Mgドープp-GaNショットキーダイオードのSiN堆積損傷に対する高温等温容量過渡分光研究

High-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy study on SiN deposition damages for low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes

著者 (7件)： SHIOJIMA Kenji (Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, JPN) ,  WAKAYAMA Hisashi (Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, JPN) ,  AOKI Toshichika (Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, JPN) ,  KANEDA Naoki (Graduate School of Engineering, Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, JPN) ,  KANEDA Naoki (Res. and Dev. Lab., Corporate Advanced Technol. Group, Hitachi Cable Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki ...) ,  NOMOTO Kazuki (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, 228 Stinson Remick, Norte Dame, IN 46556, USA) ,  MISHIMA Tomoyoshi (Res. and Dev. Lab., Corporate Advanced Technol. Group, Hitachi Cable Ltd., 3550 Kidamari, Tsuchiura, Ibaraki ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 557  ページ： 268-271  発行年： 2014年04月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Arプラズマスパッタおよびプラズマ増強化学気相堆積法で作製したSiN膜を採用し,低Mgドープp-GaN上にp型GaNの表面パシベーションの実現を試みた。その後,高温等温容量過渡分光を用いてプロセス誘起損傷を調べた。表面状態に起因すると思われるアクセプター型の大きな単一ピークを,作製したままの試料において検出した。そのエネルギー準位は価電子帯端の1.18eV上にあり,報告されているGa空孔(V_Ga)に近い。Ga原子は少し表面から欠落しており,いくつかの表面層内にV_Gaの大きな密度が生成していることが示唆された。堆積法に拘わらず,ピーク強度はSiNを堆積することでかなり減少することを見出し,800°Cで熱処理するとさらに減少した。ピーク強度はSiNの堆積と熱処理後に減少した:SiNの堆積および熱処理過程で,純Ga空孔は複雑な欠陥に変換した。これらの結果は,低Mgドープp-GaNショットキーコンタクトを用いた本特性評価法は有効であり,表面欠陥の敏感な特性評価として 役立つことを示している。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  プラズマCVD ,  スパッタ蒸着 ,  窒化ケイ素 ,  *不動態化 ,  *ドーピング ,  マグネシウム ,  *深準位過渡分光法 ,  *アクセプタ ,  表面欠陥 ,  熱処理 ,  *膜厚 ,  電流電圧特性 ,  *改変
準シソーラス用語： Schottkyダイオード

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Mg ,  ドープ ,  GaN ,  ショットキーダイオード ,  SiN ,  堆積 ,  損傷 ,  分光 ,  研究