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J-GLOBAL ID：201002001131872134   整理番号：78A0137399

MOS構造の光電流-電圧特性による絶縁体バルクにトラップされた電荷密度と位置の測定

Use of photocurrent-voltage characteristics of MOS structures to determine insulator bulk trapped charge densities and centroids.

著者 (4件)： DiMARIA D J ,  WEINBERG Z A ,  AITKEN J M ,  YOUNG D R
資料名： J Electron Mater  (Journal of Electronic Materials)
巻： 6  号： 3  ページ： 207-219  発行年： 1977年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記を測定する新しい方法として,金属-酸化膜およびSi-酸化...

シソーラス用語： MOS構造 ,...

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タイトルに関連する用語 (6件)： MOS構造 ,  光電流 ,  電圧特性 ,  絶縁体 ,  バルク ,  電荷密度