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J-GLOBAL ID：201002013572397545   整理番号：78A0242950

透明導電性膜の作製とその応用

著者 (1件)： 大本修 (芝浦工大)
資料名： 金属表面技術  (Journal of the Metal Finishing Society of Japan)
巻： 29  号： 7  ページ： 332-338  発行年： 1978年 
JST資料番号： G0441A  ISSN： 0026-0614  CODEN： KZHGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電気光学素子に欠くことのできないSnO<sub>2</sub...

シソーラス用語： 利用 ,...

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引用文献 (47件)：

• 1) J. T. Littleton; U. S. Patent 2118795
• 2) J. M. Mochel; U. S. Patent 2564706, 2564707, 2564987, British Patent 842628
• 3) H. Matsunami, K. Oo, H. Ito and T. Tanaka; Photoelectric Effects of In₂O₃-p Si Diodes, Japan. J. appl. Phys., 14, 915 (1975)
• 4) T. Nagatomo and O. Omoto; Electrical and Optical Properties of In₂O₃/n-Si Photodiodes, Japan. J. appl. Phys., 15, 199 (1976)
• 5) 大畑豊, 吉田貞史; スパッタリングによるIn₂O₃膜を用いた選択透過膜, 応用物理, 46, 43 (1977)

タイトルに関連する用語 (3件)： 透明導電性膜 ,  作製 ,  応用