文献
J-GLOBAL ID:201002017489100200   整理番号:80A0047541

熱酸化シリコンウエハにおけるESR中心,界面状態及び酸化物内固定電荷

ESR centers, interface states, and oxide fixed charge in thermally oxidized silicon wafers.
著者 (4件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 5847-5854  発行年: 1979年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ESR中心Pbを観測して,固定電荷Q<sub>ss</sub...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=80A0047541&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

前のページに戻る