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J-GLOBAL ID：201002017489100200   整理番号：80A0047541

熱酸化シリコンウエハにおけるESR中心,界面状態及び酸化物内固定電荷

ESR centers, interface states, and oxide fixed charge in thermally oxidized silicon wafers.

著者 (4件)： CAPLAN P J (U.S. Army Electronics Technology and Devices Lab., New Jersey) ,  POINDEXTER E H (U.S. Army Electronics Technology and Devices Lab., New Jersey) ,  DEAL B E (Fairchild Camera and Instrument Corp., California) ,  RAZOUK R R (Fairchild Camera and Instrument Corp., California)
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 9  ページ： 5847-5854  発行年： 1979年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ESR中心Pbを観測して,固定電荷Q<sub>ss</sub...

シソーラス用語： 酸化 ,...

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タイトルに関連する用語 (6件)： 熱酸化 ,  シリコンウエハ ,  ESR ,  界面状態 ,  酸化物 ,  固定電荷