量子井戸形Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As-GaAsヘテロ構造半導体レーザの電流しきい値の温度依存性

CHIN R; HOLONYAK N Jr; VOJAK B A; HESS K; DUPUIS R D; DAPKUS P D

文献

J-GLOBAL ID：201002024926942025 整理番号：80A0205276

量子井戸形Al_xGa_1-xAs-GaAsヘテロ構造半導体レーザの電流しきい値の温度依存性

Temperature dependence of threshold current for quantum-well Al_xGa_1-xAs-GaAs heterostructure laser diodes.

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資料名：
巻： 36 号： 1 ページ： 19-21 発行年： 1980年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

有機金属化学蒸着法により作った標題の半導体レーザの電流密度し...

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量子井戸形AlxGa1-xAs-GaAsヘテロ構造半導体レーザの電流しきい値の温度依存性

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