文献

J-GLOBAL ID：201002032896527136   整理番号：80A0060330

走査オージェ電子顕微鏡によるSi上のSiO₂薄膜の電子ビーム損傷の観察

Observation of electron beam damage in thin-film SiO₂ on Si with scanning Auger electron microscope.

著者 (2件)： ICHIMURA S (Osaka Univ.) ,  SHIMIZU R (Osaka Univ.)
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 9  ページ： 6020-6022  発行年： 1979年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂薄膜に対する電子ビーム損傷を走...

シソーラス用語： 二酸化けい素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=80A0060330&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

タイトルに関連する用語 (7件)： 走査オージェ電子顕微鏡 ,  Si ,  SiO2 ,  薄膜 ,  電子ビーム ,  損傷 ,  観察