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J-GLOBAL ID：201002043802341770   整理番号：80A0355610

CHF₃ガスプラズマによるSiO₂のエッチング特性

Etching characteristics of SiO₂ in CHF₃ gas plasma.

著者 (3件)： TOYODA H (VLSI, Kawasaki) ,  KOMIYA H (VLSI, Kawasaki) ,  ITAKURA H (VLSI, Kawasaki)
資料名： J Electron Mater  (Journal of Electronic Materials)
巻： 9  号： 3  ページ： 569-584  発行年： 1980年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LSI微細加工へ応用できる400kHzの高周波電力のプレーナ...

シソーラス用語： エッチング ,...

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タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマ ,  SiO2 ,  エッチング特性