文献

J-GLOBAL ID：201002050419375306   整理番号：79A0106853

反射光膜厚変調法によるGaAs陽極酸化過程の研究

著者 (3件)： 山岸長保 (大阪大工) ,  森谷明弘 (大阪大工) ,  中井順吉 (大阪大工定)
資料名： 生産と技術  (季刊誌生産と技術)
巻： 31  号： 1  ページ： 39-41  発行年： 1979年 
JST資料番号： F0270A  ISSN： 0387-2211  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 反射光膜厚変調法とその測定法を説明し,さらにこの方法によりG...

シソーラス用語： 陽極酸化 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=79A0106853&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0270A") }}

タイトルに関連する用語 (7件)： 反射光 ,  膜厚 ,  変調 ,  GaAs ,  陽極酸化 ,  過程 ,  研究