Arイオン衝撃の間のAl-Si系における高揚相互拡散

文献

J-GLOBAL ID：201002054608337020 整理番号：80A0030988

Enhanced interdiffusion in the Al-Si system during Ar ion bombardment.

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資料名：
巻： 18 号： 9 ページ： 1869-1870 発行年： 1979年
JST資料番号： G0520A ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

液体窒素温度(LNT)において60〜130keVのArを5×...

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引用文献 (4件)：

1) A. Gangulee, P. S. Ho and K. N. Tu: Low Temperature Diffusion and Application to Thin Films (Elsevier Sequoia S.A., 1975).
2) D. H. Lee, R. R. Hart and O. J. Marshi: Appl. Phys. Lett. 20 (1972) 73.
4) R. Hammer, N. J. Chou and J. M. Eldridge: J. Electron. Mater. 5 (1976) 557.
5) J. F. Gibbons, W. S. Johnson and S. W. Mylorie: Projected Range Statistics, Semiconductors and Related Materials (Halsted Press, 1975) 2nd ed.

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