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J-GLOBAL ID：201002057870077240   整理番号：80A0081604

MOS素子の電界-時間依存性ゲート酸化膜降伏の予測

Prediction of field-time-dependent gate-oxide breakdown in MOS devices.

著者 (2件)： LI S P (California Inst. Technology) ,  MESERJIAN J (California Inst. Technology)
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 22  号： 11  ページ： 939-942  発行年： 1979年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  CODEN： SSELA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実験結果と良好な相関を与えるMOS素子の電界-時間依存性ゲー...

シソーラス用語： MOS構造 ,...

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タイトルに関連する用語 (6件)： MOS素子 ,  電界 ,  時間依存性 ,  ゲート酸化膜 ,  降伏 ,  予測