外部量子効率が3倍もふえた新しい面発光GaInAsP 1.3μmLED

文献

J-GLOBAL ID：201002063131406481 整理番号：80A0111846

A new surface emitting GaInAsP 1.3ΜM LED with up to threefold enhancement in external quantum efficiency.

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資料名：
巻： 1979 ページ： 118-121 発行年： 1979年
JST資料番号： C0829B 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

表面と端の両方が発光するLEDの希望の特徴を表わすように,繊...

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