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J-GLOBAL ID：201002064065492386   整理番号：80A0036726

シリコン中の結合電子分布

Bonding electron distribution in silicon.

著者 (1件)： FEHLMANN M (Inst. Kristallographie Petrographie, Switzerland)
資料名： J Phys Soc Jpn  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 47  号： 1  ページ： 225-231  発行年： 1979年 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線データから決定。Aldredと著者等のデータを基に数値解...

シソーラス用語： 結晶構造 ,...

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引用文献 (26件)：

• S. Gottlicher, R. Kuphal, G. Nagorsen and E. Wolfel: Z. Ph. Chem. N.F. 21 (1959) 133.
• J. J. DeMarco and R. J. Weiss: Phys. Rev. 137 (1965) A1869.
• H. Hattori, H. Kuriyama, T. Katagawa and N. Kato: J. Phys. Soc. Jpn. 20 (1965) 988.
• B. Dawson: Proc. R. Soc. London A298 (1967) 379.
• J. F. McConnell and P. L. Sanger: Acta Crystal-logr. A26 (1970) 83.

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  電子分布