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J-GLOBAL ID：201002069548880540   整理番号：77A0347087

Si中の少数キャリア寿命時間と拡散距離の測定のための無接触非破壊技術

Contactless nondestructive technique for the measurement of minority-carrier lifetime and diffusion length in silicon.

著者 (3件)： WHITE J C ,  UNTER T F ,  SMITH J G
資料名： IEE J Solid State Electron Devices  (IEE Journal on Solid-State and Electron Devices)
巻： 1  号： 5  ページ： 139-145  発行年： 1977年 
JST資料番号： E0699A  ISSN： 0308-6968  CODEN： IJSDD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特別な構造を必要とせずに,Si中の少数キャリア寿命時間と拡散...

シソーラス用語： けい素 ,...

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タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  少数キャリア寿命 ,  拡散距離