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J-GLOBAL ID：201002076958583060   整理番号：80A0145366

He-H₂ふん囲気でSiH₄を使用したヘテロエピタクシーSi成長

Heteroepitaxial silicon growth using SiH₄ in helium-hydrogen atmospheres.

著者 (1件)： MANASEVIT H M (Rockwell International Corp., California)
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 126  号： 10  ページ： 1785-1789  発行年： 1979年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂-Heふん囲気中でスピネルとサファ...

シソーラス用語： スピネル ,...

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タイトルに関連する用語 (7件)： He ,  H2 ,  ふん囲気 ,  SiH4 ,  ヘテロエピタクシー ,  Si ,  成長