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J-GLOBAL ID：201002082821290197   整理番号：80A0152029

レーザアニールを行ったイオン注入Siにおける電気的性質と融解しきい値の関係

Relationships of electrical properties and melting threshold in laser-annealed ion-implanted silicon.

著者 (3件)： WANG K L (General Electric, New York) ,  LIU Y S (General Electric, New York) ,  BURMAN C (State Univ. New York at Albany)
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 35  号： 3  ページ： 263-265  発行年： 1979年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.06μm,80ns(FWHM)レーザパルスでアニールして...

シソーラス用語： けい素 ,...

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タイトルに関連する用語 (6件)： レーザアニール ,  イオン注入 ,  Si ,  電気的性質 ,  融解 ,  しきい値