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J-GLOBAL ID：201002084534136953   整理番号：79A0336559

Si基板と遷移金属薄膜界面における金属-半導体転移と最初の化合物核発生の関係

Relationship of ’metal-semiconductor transition’ to first compound nucleation at the interface of a thin film transition metal on a silicon substrate.

著者 (3件)： BENE ́ R W ,  WALSER R M ,  HU J C
資料名： Inst Phys Conf Ser  (Institute of Physics Conference Series)
号： 43  ページ： 773-776  発行年： 1979年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSA  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si上のCoスパッタ膜蒸着過程で,透過電子回折による構造と,...

シソーラス用語： 電気抵抗 ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  遷移 ,  金属薄膜 ,  界面 ,  金属-半導体転移