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J-GLOBAL ID：201002084897687196   整理番号：79A0323900

光電子分光法による半導体(GaSb,GaAs,InP)表面と金属原子との相互作用の研究

著者 (1件)： 藤川高志 (横浜国大工)
資料名： 化学と工業  (Chemistry & Chemical Industry)
巻： 32  号： 9  ページ： 700-701  発行年： 1979年 
JST資料番号： F0107A  ISSN： 0022-7684  CODEN： KAKTA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 共有結合性の半導体と金属との相互作用はかなり微量の原子状の金...

シソーラス用語： 光電子スペクトル ,...

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タイトルに関連する用語 (7件)： 光電子分光法 ,  GaSb ,  GaAs ,  InP ,  金属原子 ,  相互作用 ,  研究