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J-GLOBAL ID：201002087600157648   整理番号：77A0222070

プラズマエッチングにおけるSiO₂とSiの相対的エッチ速度の制御に関するコメント

Comments on: “control of relative etch rates of SiO₂ and Si in plasma etching”.

著者 (1件)： JACOB A
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 20  号： 5  ページ： 479  発行年： 1977年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  CODEN： SSELA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Heineckeが同誌<span style=text-de...

シソーラス用語： エッチング ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマエッチング ,  SiO2 ,  Si ,  エッチ速度 ,  コメント