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J-GLOBAL ID：201002093390803509   整理番号：80A0041035

GaAsSb/GaAlAsSbダブルヘテロ構造レーザの成長と特性

Growth and properties of GaAsSb/GaAlAsSb double heterostructure lasers.
著者 (4件)：
CHAMINANT C

CHAMINANT C について

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CHARIL J

CHARIL J について

(Centre National D’<span style=text-decoration:overline>E ́</span>tudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)

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BOULEY J-C

BOULEY J-C について

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RAO E V K

RAO E V K について

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資料名：
IEE J Solid State Electron Devices  (IEE Journal on Solid-State and Electron Devices)

IEE J Solid State Electron Devices について


巻： 3  号： 6  ページ： 196-200  発行年： 1979年 
JST資料番号： E0699A  ISSN： 0308-6968  CODEN： IJSDD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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(100)GaAs基板上に表記混晶系の3層ダブルヘテロ構造を...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ヘテロ接合

ヘテロ接合 について

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タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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GaAsSb

GaAsSb について

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ダブルヘテロ構造レーザ

ダブルヘテロ構造レーザ について

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成長

成長 について


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