文献

J-GLOBAL ID：201002098793484456   整理番号：78A0185316

SnSe単結晶 昇華結晶成長,化学量論的ずれ及び電気特性

SnSe single crystals: Sublimation growth, deviation from stoichiometry and electrical properties.

著者 (2件)： MAIER H ,  DANIEL D R
資料名： J Electron Mater  (Journal of Electronic Materials)
巻： 6  号： 6  ページ： 693-704  発行年： 1977年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 閉管気相法によって高品位の大きいSnSe単結晶を得る実験経過...

シソーラス用語： すず化合物 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=78A0185316&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0277B") }}

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶 ,  昇華 ,  結晶成長 ,  電気特性