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J-GLOBAL ID：201002201242166386   整理番号：10A0846303

N極性InAlN/AlN/GaN MIS-HEMTs

N-Polar InAlN/AlN/GaN MIS-HEMTs

著者 (6件)： BROWN David F. (Univ. California, CA, USA) ,  NIDHI (Univ. California, CA, USA) ,  WU Feng (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER Stacia (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 8  ページ： 800-802  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNスペーサとSi₃N₄ゲート絶縁膜を持つ,N極性InAlN/AlN/GaN MIS-HEMTsを製作し,特性評価を行った。この素子は,MOCVD法を使い微傾斜サファイア基板上に成長させ製作した。Hall測定とTLM測定を行い,非常に高品質の2DEGの存在を確認した。この素子は,優れた直流および小信号性能を示した。特に2DEG導電性(シート抵抗226Ω/□)と最大ドレイン電流(1.47A/mm)は,同様にスケーリングされたN極性Al(Ga)N/GaN素子に比べてはるかに高かった。電流-とパワー利得遮断周波数は,それぞれ14GHzと25GHzであった。この素子は,マイクロ波,ミリ波用素子として有望である。

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *MIS構造 ,  MOCVD ,  ドレイン【半導体】 ,  インジウム含有合金 ,  アルミニウム合金 ,  窒素含有合金 ,  ゲート【半導体】 ,  窒化ケイ素 ,  シート抵抗 ,  遮断周波数 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： AlN ,  GaN ,  InAlN ,  Si₃N₄ ,  アルミ合金 ,  ドレイン電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 極性 ,  InAlN ,  AlN ,  GaN ,  MIS