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J-GLOBAL ID：201002201391547120   整理番号：10A0246910

半導体超格子におけるミニバンド構造とワニエ・シュタルク局在

Miniband structures and Wannier-Stark localization in semiconductor superlattices

著者 (1件)： 中山正昭 (大阪市大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 79  号： 3  ページ： 198-205  発行年： 2010年03月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体超格子では,ナノメートルオーダーの長周期性を有するポテンシャル構造によってミニブリルアンゾーンが生じ,電子・正孔ミニバンド構造が形成される。超格子の積層方向に電場(F)が印加されると,ミニバンドを形成するための量子井戸間の共鳴トンネル現象が静電ポテンシャルによって破綻し,波動関数は局在化する。また,ミニバンドは,eFD(D:周期)のエネルギー間隔で量子化されたシュタルク階段状態に分裂する。この現象をワニエ・シュタルク(Wannier-Stark:WS)局在と呼び,超格子の波動関数と固有エネルギーを制御する自由度をわれわれにもたらす。本稿では,光物性の観点から,ミニバンド構造とWS局在について解説する。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,  *バンド構造 ,  Brillouin帯 ,  Franz-Keldysh効果 ,  フォトリフレクタンス ,  電界反射 ,  共鳴トンネル効果 ,  波動関数 ,  量子化 ,  光学的性質 ,  ヒ化ガリウム ,  長周期 ,  量子井戸 ,  *局在状態 ,  ヒ化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *人工超格子 ,  *電気光学効果
準シソーラス用語： *Wannier-Stark局在

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

引用文献 (42件)：

• ESAKI, L. IBM Research Note. 1969
• ESAKI, L. IBM J. Res. Dev. 1970, 14, 61
• 江崎玲於奈監修. 超格子ヘテロ構造デバイス. 1988
• IVCHENKO, E. L. Superlattices and Other Heterostructures. 1995
• SHEN, H. Phys. Rev. B. 1987, 36, 9384

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体超格子 ,  ミニバンド構造