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J-GLOBAL ID:201002202402087816   整理番号:10A1043681

荷電結合デバイス技法を用いたイオン半導体センサによるカリウムイオン分布の実時間二次元イメージング

Real-Time Two-Dimensional Imaging of Potassium Ion Distribution Using an Ion Semiconductor Sensor with Charged Coupled Device Technology
著者 (7件):
資料名:
巻: 26  号: 10  ページ: 1039-1045 (J-STAGE)  発行年: 2010年 
JST資料番号: G0673B  ISSN: 0910-6340  CODEN: ANSCEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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電荷結合素子(CCD),金属酸化膜半導体技法及びイオン選択膜に基づいたイオンイメージングデバイスを用い,カリウムイオン分布の二次元実時間観測を実現した。CCDカリウムイオンイメージセンサは32×32画素(1024画素)アレイを備えており,5フレーム/sの記録(4.16×4.16mm2面積)が可能であり,直ちにカリウムイオンイメージが生成した。3.3M KCl Ag/AgCl参照電極からのカリウムイオンの水溶液中での浸出を動的モニタリングした。半導体上のカリウムイオン選択膜はビス(ベンゾ-15-クラウン-5)を備えた可塑化ポリ(塩化ビニル)(PVC)からなり,PVC膜に多面体オリゴマシルセスキオキサンを添加すると半導体表面のSi3N4への膜付着が大幅に改善し,電位応答も安定化した。電位応答はカリウムイオンの対数濃度に対して10-2~10-5範囲で直線性を示し,選択係数はKpotK+,Li+=10-2.85,KpotK+,Na+=10-2.30,KpotK+,Rb+=10-1.16及びKpotK+,Cs+=10-2.05であった。(翻訳著者抄録)
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