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J-GLOBAL ID：201002203653163690   整理番号：10A1032276

MEMS応用のためRFスパッタリングでステンレス鋼とシリコン基板上に蒸着したNbドープPb(Zr,Ti)O₃膜のキャラクタリゼーション

Characterization of Nb-doped Pb(Zr,Ti)O₃ films deposited on stainless steel and silicon substrates by RF-magnetron sputtering for MEMS applications

著者 (4件)： FUJII Takamichi (FUJIFILM CORPORATION, 577 Ushijima, Kaisei-machi, Ashigarakami-gun, Kanagawa 258-8577, JPN) ,  HISHINUMA Yoshikazu (FUJIFILM CORPORATION, 577 Ushijima, Kaisei-machi, Ashigarakami-gun, Kanagawa 258-8577, JPN) ,  MITA Tsuyoshi (FUJIFILM CORPORATION, 577 Ushijima, Kaisei-machi, Ashigarakami-gun, Kanagawa 258-8577, JPN) ,  NAONO Takayuki (FUJIFILM CORPORATION, 577 Ushijima, Kaisei-machi, Ashigarakami-gun, Kanagawa 258-8577, JPN)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 163  号： 1  ページ： 220-225  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電性のNbドープPb(Zr,Ti)O₃薄膜(PNZT)を,マイクロ電気機械システム(MEMS)応用の目的でステンレス鋼とシリコン基板上にRFマグネトロンスパッタリングを用いて蒸着した。両種の基板上に得られた膜は強い一軸方位で,それぞれ,ステンレス鋼基板では(001)方向,シリコン基板では(100)方向であった。PNZT膜でのダイヤフラム構造の共振測定は得られた膜のYoung率が49GPaであることを見出した。両者のダイヤフラム構造に関する変位測定はステンレス鋼基板に対するd₁₁=-217pm/Vとシリコン基板に対してd₁₁=-259pm/Vの圧電係数であり,両者の基板がスパッタPNZT膜でのMEMS応用に対し実現可能性を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *蒸着膜 ,  *RFスパッタリング ,  キャラクタリゼーション ,  *ニオブ ,  *ドーピング ,  ステンレス鋼 ,  ウエハ【IC】 ,  Young率 ,  ダイヤフラム ,  一軸性結晶 ,  *圧電体 ,  MEMS ,  実現可能性
準シソーラス用語： 圧電係数

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (13件)： MEMS ,  応用 ,  RFスパッタリング ,  ステンレス鋼 ,  シリコン基板 ,  蒸着 ,  Nb ,  ドープ ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  キャラクタリゼーション