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J-GLOBAL ID：201002205253723916   整理番号：10A0978281

Si界面薄層を有するHfO₂系GaAs金属-酸化膜-半導体(MOS)容量の信頼性と破壊特性

Reliability and breakdown characteristics of HfO₂-based GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors with a thin Si interface layer

著者 (7件)： DAS T. (Indian Inst. Technol., Kharagpur, IND) ,  MAHATA C. (Indian Inst. Technol., Kharagpur, IND) ,  DALAPATI G. K (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP) ,  CHI D. (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP) ,  SUTRADHAR G. (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  BOSE P. K. (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  MAITI C. K. (Indian Inst. Technol., Kharagpur, IND)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 122-125  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄型Si界面パッシベーション層(IPL)と異なるHfO₂厚さを有する,TaN/HfO₂/GaAs MOS容量(等価酸化膜厚(EOT):2.4~4.8nm)の電気特性と信頼性について調べた。定電圧ストレス(CVS)と定電流ストレス(CCS)測定により,2.1nm EOTのHfO₂と1Vのフラットバンド電圧(V_fb)で~10^-4A/cm²の漏洩電流を有するMOS容量のストレス誘起漏洩電流(SILC)発生動力学とフラットバンド不安定性について調べた。さらに,ゲート酸化膜の破壊電圧についても調べた。破壊電界は,約8~12MV/cmであることを観測した。最適なSi IPLと薄型HfO₂層が,GaAsMOS容量の信頼性改善に不可欠であることを示した。

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  ヒ化ガリウム ,  *薄膜コンデンサ ,  MOS構造 ,  *信頼性 ,  *絶縁破壊 ,  漏れ電流 ,  *ゲート【半導体】 ,  *酸化膜 ,  不動態皮膜 ,  容量電圧特性 ,  電流密度 ,  MOSFET
準シソーラス用語： MOSキャパシタ ,  SILC

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  界面 ,  薄層 ,  HfO2 ,  GaAs ,  酸化膜 ,  MOS ,  破壊特性