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J-GLOBAL ID：201002206100350432   整理番号：10A0238323

低エネルギー電子顕微鏡により調べたグラファイト上のペンタセン成長

Pentacene growth on graphite investigated by low-energy electron microscope

著者 (11件)： LIU H.w. (WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  AL-MAHBOOB A. (WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  FUJIKAWA Y. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  FUKUI N. (WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  HITOSUGI T. (WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  HASHIZUME T. (WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  HASHIZUME T. (Advanced Res. Lab., Hitachi Ltd., Hatoyama, Saitama 350-0395, JPN) ,  HASHIZUME T. (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Meguro, Tokyo 152-8551, JPN) ,  XUE Q.k. (WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  XUE Q.k. (Dep. of Physics, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  SAKURAI T. (WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 7  ページ： 967-970  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度配向熱分解黒鉛(HOPC)上のペンタセン(Pn)成長を低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)により調べた。最初に,横方向に分子配向したPn配向層をHOPG上に作製した。この第一Pn層の面内構造は二つの異なったエピタキシャル方位とそれらの双晶を有する変形ac面に対応していた。実時間LEEMではエピタキシャルに配向した第一層に対してアイランドの核形成は観測されず,それは濡れ層に対応した。続いて,横及び立ち上がり形をした別々のPn核が濡れ層上に形成した。横向き層はPnのac面の面内構造をとっていた。その場回折パターンから得たオーバレーヤの格子定数及び対称性はペンタセンの第一層と比較すると構造の違いを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *高配向性熱分解グラファイト ,  基板 ,  電子顕微鏡観察 ,  有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  昇華 ,  *真空蒸着 ,  *分子配向 ,  エピタクシー ,  双晶 ,  実時間処理 ,  濡れ ,  核形成 ,  吸着 ,  島状構造 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *低エネルギー電子顕微鏡

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： 低エネルギー電子顕微鏡 ,  グラファイト ,  ペンタセン ,  成長