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J-GLOBAL ID：201002206665916782   整理番号：10A1616123

3レベルインバータ対応大容量IGBTの系列化-高絶縁パッケージ-

High Power IGBT Module with High Isolation Package for Three-Level Inverters

著者 (3件)： 西村孝司 (富士電機システムズ) ,  小林孝敏 (富士電機システムズ) ,  西村芳孝 (富士電機システムズ)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 83  号： 6  ページ： 370-374  発行年： 2010年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,風力・太陽光発電などの新エネルギー分野や車両用分野に適用される電力変換装置は,マルチレベルインバータ方式によって高効率化が進んでいる。富士電機は,本分野への適用を狙い,マルチレベルインバータ方式の一つである3レベルインバータ装置への適用を視野に入れた高い絶縁能力を持つ大容量IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールを新たに開発した。電流容量600~3,600Aで1,700V耐圧である。高絶縁を実現するために,絶縁設計を最適化したパッケージング技術を適用した三つのパッケージで,製品系列に1in1および2in1を構成している。(著者抄録)

シソーラス用語： *インバータ ,  *IGBT ,  *電流容量 ,  絶縁耐力 ,  絶縁設計 ,  電流電圧特性 ,  ダイオード ,  電気サージ ,  スイッチング ,  基板 ,  ゲート【半導体】 ,  効率
準シソーラス用語： FWD【ダイオード】 ,  高効率

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (2件)：

• 西村孝司ほか. IGBTハイパワーモジュール. 富士時報.2008, vol.81, no.6, p. 390-394.
• 西村孝司ほか. 産業用大容量IGBTモジュール. 富士時報.2005, vol.78, no.4, p. 264-268.

タイトルに関連する用語 (6件)： 3レベルインバータ ,  大容量 ,  IGBT ,  系列 ,  絶縁 ,  パッケージ