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J-GLOBAL ID：201002206983819796   整理番号：10A0686370

イオン注入とパルスレーザ融解によってカルコゲンを過飽和させたシリコンの作成とサブバンドギャップ光学特性

Fabrication and subband gap optical properties of silicon supersaturated with chalcogens by ion implantation and pulsed laser melting

著者 (8件)： BOB Brion P. (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  KOHNO Atsushi (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  CHARNVANICHBORIKARN Supakit (Res. School of Physics and Engineering, Australian National Univ., Canberra City ACT 2601, AUS) ,  WARRENDER Jeffrey M. (Benet Laboratories, U.S. Army ARDEC, Watervliet, New York 12189, USA) ,  UMEZU Ikurou (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  TABBAL Malek (Dep. of Physics, American Univ. of Beirut, Beirut 1107 2020, Lebanon) ,  WILLIAMS James S. (Res. School of Physics and Engineering, Australian National Univ., Canberra City ACT 2601, AUS) ,  AZIZ Michael J. (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 123506  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲンS,Se,及びTeを過飽和させたトポグラフィー的に平坦な単結晶シリコンを,イオン注入とそれに続いてパルスレーザ融解と高速凝固によって調製した。原子及びキャリア濃度深さプロファイルにレーザショット数が及ぼす影響を,各々,2次質量分析法と広がり抵抗プロファイリングにより測定した。実験で得られた原子濃度深さプロファイルと,運動論的溶質捕獲と表面蒸発がある前面融解,凝固,液相拡散の1次元モデルの間で良好な一致を見いだした。広帯域のサブバンドギャップ吸収が1から2.5ミクロンの波長範囲で全ドーパントに対して見られた。レーザショット数を増やしても吸収は大きく変化しないが,各ショット後,カルコゲンと電子キャリアの損失が測定できる位失われた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *イオン注入 ,  *硫黄 ,  *セレン ,  *テルル ,  過飽和固溶体 ,  *レーザ融解 ,  質量分析 ,  広がり抵抗 ,  キャリア密度 ,  不純物分布 ,  急冷凝固 ,  液体内拡散 ,  バンドギャップ ,  *ドーピング

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン注入 ,  パルス ,  レーザ融解 ,  カルコゲン ,  飽和 ,  シリコン ,  サブバンドギャップ ,  光学特性