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J-GLOBAL ID:201002207374530980   整理番号:10A0387273

有機発光ダイオード中のHTL/Alq3界面でのエキシプレックス生成:電子-正孔再結合と電場の影響

Exciplex Formations at the HTL/Alq3 Interface in an Organic Light-Emitting Diode: Influence of the Electron-Hole Recombination Zone and Electric Field
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巻: 114  号: 10  ページ: 4652-4658  発行年: 2010年03月18日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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有機発光ダイオード(OLEDs)の正孔輸送層(HTL)/Alq3界面における弱いエキシプレックスの特性について調べた。HTL/Alq3ベース有機発光ダイオードOLEDsの層状構造において,Alq3分子はHTL/Alq3界面でHTLと接触する。HTL/Alq3界面でのエキシプレックス生成に及ぼす電子-正孔再結合領域の位置と外部電場の影響について調べた。HTL/Alq3界面での正孔輸送材料(HTM)およびAlq3励起子間の分子間相互作用は,HTMの電子供与性によってだけでなく,電子-正孔再結合領域の位置と印加電場の方向によっても影響を受けた。二重層HTL/Alq3OLEDsでは,Alq3層内の電子-正孔再結合領域のシフトがエキシプレックス生成から生じるエレクトロルミネセンス効率の低下を抑制した。
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