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J-GLOBAL ID：201002209305911231   整理番号：10A0920642

IRからTHz検出器用のHgTe量子井戸の成長

Growth of HgTe Quantum Wells for IR to THz Detectors

著者 (7件)： DVORETSKY S. (A.V. Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  MIKHAILOV N. (A.V. Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  SIDOROV Yu. (A.V. Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  SHVETS V. (A.V. Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, RAS, Novosibirsk, RUS) ,  DANILOV S. (Univ. Regensburg, Regensburg, DEU) ,  WITTMAN B. (Univ. Regensburg, Regensburg, DEU) ,  GANICHEV S. (Univ. Regensburg, Regensburg, DEU)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 7  ページ： 918-923  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HgCdTe(MCT)は,広範囲の赤外波長や温度で赤外(IR)検出器用材料として期待されている。大面積IR焦点面アレイ(FPA)の開発課題は,特に長波長やTHz領域に対して,厚みと基板面の組成均一性制御である。本稿では,分子線エピタクシー(MBE)法を使って制御したHgCdTe/HgTe/HgCdTe量子井戸(QWs)の製作について報告した。Cd_xHg_1-xTe/HgTe/Cd_xHg_1-xTe QWsの最大30までの多層構造を(013)GaAs基板上に再現性よく成長させることができた。この結果,IRからTHzまでの広いスペクトル領域で放射分光性の全電気検出用に,高品質(013)成長HgTe QW構造が使用できることが分かった。

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  光検出器アレイ ,  *MBE成長 ,  テルル化水銀 ,  *量子井戸 ,  均一性 ,  多層構造 ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体
準シソーラス用語： GaAs ,  *HgCdTe ,  HgTe ,  焦点面アレイ ,  楕円率 ,  分子線エピタクシー

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  光導電素子  (NC03083X) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ir ,  検出器 ,  HgTe ,  量子井戸 ,  成長