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J-GLOBAL ID：201002209553600706   整理番号：10A0253072

単一GaNナノワイヤの高度に偏光したRaman散乱異方性

Highly polarized Raman scattering anisotropy in single GaN nanowires

著者 (7件)： SCHAEFER-NOLTE E. O. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...) ,  STOICA T. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...) ,  GOTSCHKE T. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...) ,  LIMBACH F. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...) ,  SUTTER E. (Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Lab., Upton, New York 11973, USA) ,  SUTTER P. (Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Lab., Upton, New York 11973, USA) ,  CALARCO R. (Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 9  ページ： 091907  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一GaNナノワイヤとより大きなGaNナノワイヤ集団をRaman分光法により調べた。ナノワイヤ集団のスペクトルは高い結晶品質を証明し,ウルツ鉱型構造に対する選択則と一致した。ナノワイヤの軸に対して偏光方向が異なる入射レーザビームに対して400nm台の空間分解能で単一ナノワイヤを調べた。単一ナノワイヤのスペクトルでは,A₁(TO)のみが観測され,Raman強度は垂直偏光に対して抑制された。これらの結果から,孤立したGaNナノワイヤ中のRaman散乱がサイズ効果により支配されることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  偏光 ,  *Raman散乱 ,  異方性 ,  Raman分光法 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  レーザビーム ,  サイズ効果 ,  ウルツ鉱型構造

分類 (1件)： 無機化合物の赤外・Ramanスペクトル(分子)  (BH06032B)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  偏光 ,  Raman散乱 ,  異方性