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J-GLOBAL ID：201002209718702541   整理番号：10A0128072

浮上がり法を用いて作製した大きいサイズの自立性CVD単結晶ダイヤモンド膜中の電荷キャリア輸送の測定

Measurement of charge carrier’s transportation in a large size self-standing CVD single crystal diamond film fabricated using lift-off method

著者 (11件)： FUJITA F. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KAKIMOTO A. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KANEKO J.h. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TSUBOUCHI N. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ikeda-shi Osaka, JPN) ,  MOKUNO Y. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ikeda-shi Osaka, JPN) ,  CHAYAHARA A. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ikeda-shi Osaka, JPN) ,  SATO K. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KONNO Y. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HOMMA A. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SHIKATA S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ikeda-shi Osaka, JPN) ,  FURUSAKA M. (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 2-3  ページ： 162-165  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浮上がり法を使用して,様々な基板上に大きな自立性プラズマCVDダイヤモンド膜を合成した。α-粒子測定と短パルス紫外レーザによるTOF法を使用して,ダイヤモンド中の荷電キャリア輸送を測定した。高品質な膜が迅速に合成された。5nsより短いホールと電子の最大輸送時間が観察された。この浮き上がり法は,荷電粒子の優れたなドリフト速度を持つ高品質のダイヤモンドを作製するのに役に立つ。今回のダイヤモンド膜の電荷輸送特性は,商業的に利用可能な(Element Six社)エレクトロニクスグレードIIaダイヤモンド単結晶の特性に匹敵している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  単結晶 ,  製膜 ,  プラズマCVD ,  電気的性質 ,  電荷移動 ,  電子移動 ,  *キャリア移動度 ,  キャリア ,  正孔 ,  計測システム ,  α粒子 ,  パルスレーザ ,  飛行時間法 ,  *鉱石 ,  *宝石

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (9件)： 浮上がり ,  作製 ,  サイズ ,  自立性 ,  CVD ,  単結晶 ,  ダイヤモンド膜 ,  電荷 ,  キャリア輸送