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J-GLOBAL ID：201002209879943352   整理番号：10A0426505

スパッタリング・プラズマCVD複合プロセスを用いたイミド系薄膜の堆積

著者 (4件)： 加藤佑己 (金沢工大) ,  坂本宗明 (金沢工大) ,  古林寛 (金沢工大) ,  草野英二 (金沢工大)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 90th  号： 3  ページ： 942  発行年： 2010年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ターゲットとして純ポリイミド,CVD原料ガスとして芳香族化合物を用い,スパッタリング法とプラズマCVD法の複合プロセスによるイミド系薄膜の調製を試みた。得られた薄膜は分光学的分析および物性評価を実施すると共に,放電ガスと原料ガスの成膜時分圧と物性の関係を検討した。赤外分光分析の結果は,原料ガス分圧が3%を超える領域においてCVDによる膜堆積が優勢となっている事を示唆していた。(著者抄録)

シソーラス用語： *スパッタリング ,  *プラズマCVD ,  *ポリイミド ,  薄膜 ,  芳香族化合物 ,  赤外分光分析

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタリング ,  プラズマCVD ,  プロセス ,  イミド ,  薄膜 ,  堆積