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J-GLOBAL ID：201002209968125728   整理番号：10A1621839

オフ角制御IIa型ダイヤモンド基板を使用したCVD単結晶ダイヤモンド自立膜の合成と評価

著者 (10件)： 今野雄太 (北大 院工学研究院) ,  後藤拓人 (北大 院工学研究院) ,  金子純一 (北大 院工学研究院) ,  藤田文行 (北大 院工学研究院) ,  西紀彦 (北大 院工学研究院) ,  梅澤仁 (産業技術総合研) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  鹿田真一 (産業技術総合研)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 24th  ページ： 108-109  発行年： 2010年11月17日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  膜 ,  *ダイヤモンド ,  合成 ,  *放射線検出器 ,  輸送現象 ,  キャリア ,  微細加工 ,  陰極線ルミネセンス ,  最適化 ,  自立膜 ,  *単結晶ダイアモンド ,  キャリア輸送 ,  電荷キャリア ,  プロセス最適化 ,  *鉱石 ,  *宝石 ,  改変
準シソーラス用語： リフトオフ法 ,  陰極ルミネセンス

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： オフ角 ,  ダイヤモンド基板 ,  CVD ,  単結晶ダイヤモンド ,  自立膜 ,  評価