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J-GLOBAL ID：201002210123984282   整理番号：10A0937389

ヘテロ構造ゲート誘電膜トンネリング電界効果型トランジスタ

Hetero-Gate-Dielectric Tunneling Field-Effect Transistors

著者 (2件)： CHOI Woo Young (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Woojun (Sogang Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 9  ページ： 2317-2319  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネリング電界効果型トランジスタ(TFET)は,短チャネル長でサブしきい値振幅(SS)劣化耐性があるため,MOSFETに代わる最も有望な代替素子のひとつである。しかし,TFETには低いオン電流(I_on),漏洩電流や両極性挙動(I_amb)およびオン状態とオフ状態間の漸次転移の問題がある。これらの問題を解決するため,ソース側絶縁膜を高κ(高誘電率)材料に置き換えた高性能で低消費電力用のヘテロ構造ゲート誘電膜(HG)TFETを提案した。さらに,高κ誘電膜長さを調整して,素子設計を最適化した。トンネル接合に局所的な最小の伝導帯端を生じる高κ材料を用い,ドレイン側に相対誘電率が小さいシリコン酸化膜を配置することにより最適化した。このHG-TFETは,SiO₂のみと高κのみのTFETなど従来型TFETよりもさらにI_on,SSとI_ambの素子性能が改善した。

シソーラス用語： 両極性拡散 ,  *ヘテロ接合 ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  誘電体薄膜 ,  *トンネル効果 ,  *FET【トランジスタ】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ構造 ,  ゲート ,  誘電膜 ,  トンネリング ,  電界効果型トランジスタ