文献

J-GLOBAL ID：201002211841517087   整理番号：10A0031217

次世代シリコン太陽電池製造のためのプラズマ技術 結晶シリコン太陽電池における界面不活性化膜

著者 (1件)： 宮島晋介 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： プラズマ・核融合学会誌  (Journal of Plasma and Fusion Research)
巻： 85  号： 12  ページ： 820-824  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： G0114A  ISSN： 0918-7928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 結晶シリコン太陽電池の高効率化には表面および裏面の不活性化(パッシベーション)が重要である。薄型基板の場合には,裏面パッシベーションが特に重要である。本章では表面および裏面パッシベーションと太陽電池の効率の関係について述べたのち,プラズマCVDによるパッシベーション膜についてまとめる。(著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  不活性化 ,  *不動態化 ,  *プラズマCVD ,  ケイ素 ,  界面 ,  効率 ,  キャリア再結合 ,  窒化ケイ素 ,  アモルファスシリコン ,  酸化膜 ,  *シリコン太陽電池 ,  表面再結合 ,  *改変 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *パッシベーション

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (21件)：

• PETERS, S. Semiconductor Science and Technology. 2002, 17, 677
• 小長井誠. 半導体物性. 1992, 237
• GREEN, M. A. Solar Cells Operating Principles, Technology and System Applications. 1982, 97
• SCHMIDT, J. Prog. Photovolt : Res. Appl. 2008, 16, 461
• REIN, S. Lifetime Spectroscopy. 2005, 49

タイトルに関連する用語 (6件)： 次世代 ,  シリコン太陽電池 ,  プラズマ ,  結晶シリコン太陽電池 ,  界面 ,  不活性化