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J-GLOBAL ID：201002211968695049   整理番号：10A0499630

グロー放電深さプロフィリング分析における表面トポグラフィー効果

Surface topography effects on glow discharge depth profiling analysis

著者 (7件)： TRIGOULET N. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  HASHIMOTO T. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  MOLCHAN I. S. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  SKELDON P. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  THOMPSON G. E. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  TEMPEZ A. (HORIBA Jobin Yvon, Longjumeau, FRA) ,  CHAPON P. (HORIBA Jobin Yvon, Longjumeau, FRA)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 42  号： 4  ページ： 328-333  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 調製された表面粗さを持つ,アモルファス材料のグロー放電元素深さプロフィリング中での深さ分解能への表面トポグラフィーの影響を考察した。主に陽極酸化アルミニウムと比較してスパッタリングの増大収率を示すアルミニウム材料の腐食のために,粗い表面上で形成された薄膜のグロー放電発光分光法(GD-OES)分析中で不均一なスパッタリングが発生した。腐食プロセスはレイヤーバイレイヤーでは進行せず,結果としてピーク状テキスチャーの発展が生じた。その結果として,適切で正確な時間-深さ関係は決定できず,測定されたプロフィルの定量化を制約した。また粗い表面上で形成された膜のGD-OES元素深さプロフィル分析中での深さ分解能の低落が,局所的に増強されたスパッタリング収率およびスパッタリング速度の変化から生じた。

シソーラス用語： *表面構造 ,  深さプロフィル ,  *深さ分析 ,  原子発光分析 ,  非晶質金属 ,  *腐食 ,  薄膜成長 ,  元素分析 ,  酸化アルミニウム ,  *トポグラフィー【形態】
準シソーラス用語： LBL成長 ,  グロー放電発光分光分析 ,  *表面形態 ,  表面トポグラフィー

分類 (3件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  分光分析  (CC03012W) ,  腐食基礎理論,腐食試験  (WB03020Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： グロー放電 ,  深さプロフィリング ,  分析 ,  表面トポグラフィー