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J-GLOBAL ID：201002212284804465   整理番号：10A1539082

リンドープシリコン二重量子ドットにおける電荷検出

Charge detection in phosphorus-doped silicon double quantum dots

著者 (4件)： ROSSI A. (Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  FERRUS T. (Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  PODD G. J. (Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  WILLIAMS D. A. (Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 22  ページ： 223506  発行年： 2010年11月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一電子を制御し,検出する能力は,スケーラブル電荷ベース量子計算機及び単一電子メモリ素子の実現にとって最重要事項である。ここに,電子リザーバに電気的に結合した,縮退リンドープシリコン二重量子ドット(DQD)における電荷検出を報告した。センシング素子は,DQDに密接してパターン形成した単一電子トランジスタであった。リザーバの電位を掃引するにつれて,検出器の電流におけるCoulombブロッケード振動の階段状挙動及びシフトを観測した。古典的な容量モデルにより,これらの特徴を用いて,DGD電荷占有において電荷を検出できることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ケイ素 ,  *リン ,  *ドーピング ,  電子 ,  単一電子トランジスタ ,  検出器 ,  Coulombブロッケード ,  振動 ,  検出
準シソーラス用語： *二重量子ドット ,  シリコン ,  *単一電子素子 ,  リザーバー ,  電荷検出

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 二重量子ドット ,  電荷検出