8.4 から8100eVまでのフォトンを用いたLiV<sub>2</sub>O<sub>4</sub>の光電子分光法:バルク感度,混成,並びに,反跳効果

SUGA Shigemasa; SEKIYAMA Akira; FUJIWARA Hidenori; NAKATSU Yasutaka; YAMAGUCHI Jun-ichi; KIMURA Masato; MURAKAMI Keita; NIITAKA Seiji; TAKAGI Hidenori; YABASHI Makina; TAMASAKU Kenji; HIGASHIYA Atsushi; ISHIKAWA Tetsuya; NEKRASOV Igor

文献

J-GLOBAL ID：201002212482481868 整理番号：10A0443858

8.4 から8100eVまでのフォトンを用いたLiV₂O₄の光電子分光法:バルク感度,混成,並びに,反跳効果

Photoelectron Spectroscopy of LiV₂O₄ with Photons from 8.4 to 8100eV: Bulk Sensitivity, Hybridization, and Recoil Effects

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資料名：
巻： 79 号： 4 ページ： 044711.1-044711.6 発行年： 2010年04月15日
JST資料番号： G0509A ISSN： 0031-9015 CODEN： JUPSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

強相関電子系のバルク電子構造の調査のため,X線,及び,軟X線光電子分光法(HAXPES,及び,SXPES)は,有用である。LiV₂O₄では,きれいに破砕された表面上にこの物質固有の表面が存在することが明らかとされている。この物質では,全ての核子レベルのみならず,20Kでの荷電子状態についても,一個の核子による反跳効果が,顕著である。だが,このような反跳効果は,VO₂が類似のV-O₆ 8面体構造を取るという事実に関わらず,350Kであっても,VO₂では無視できる。HAXPESにおけるV 3dバンドに対するいわゆるO 2dバンドの高束縛エネルギー部の著しい強度増加は,V 4s状態寄与に起因するものと捉えられる。超高解像度極低エネルギー光電子分光法(ELEPES)を,10.1,及び,8.4eVで,夫々,KrとXeランプを用いて実施し,重フェルミオン型挙動と共に,この物質のバルク感度が実証された。(翻訳著者抄録)

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電子分光スペクトル

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8.4 から8100eVまでのフォトンを用いたLiV2O4の光電子分光法:バルク感度,混成,並びに,反跳効果

8.4 から8100eVまでのフォトンを用いたLiV₂O₄の光電子分光法:バルク感度,混成,並びに,反跳効果