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J-GLOBAL ID：201002212828553844   整理番号：10A1124746

ソース/ドレイン電極として酸化インジウムスズ/グラフェン多層を用いる完全透明InGaZnO薄膜トランジスタ

Fully transparent InGaZnO thin film transistors using indium tin oxide/graphene multilayer as source/drain electrodes

著者 (8件)： SEO David (Solid State and Photonics Lab., Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  JEON Sanghun (Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...) ,  SEO Sunae (Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...) ,  SONG Ihun (Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...) ,  KIM Changjung (Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...) ,  PARK Sungho (Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...) ,  HARRIS James S. (Solid State and Photonics Lab., Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  CHUNG U.-in (Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 17  ページ： 172106  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明ソース/ドレイン電極としてグラフェン複合材料を使う透明なInGaZnO薄膜トランジスタを実証した。グラフェンの成長をRaman分光法で確かめ,1350,1580および2700cm^-1における全ての関連するピークを示した。グラフェン複合材料のシート抵抗は15%減少するが,酸化インジウムスズだけの電極と比べると透明度は1.2%劣る。複合材料を使った素子の特性は酸化インジウムスズだけを使った参照素子と同程度であり,ピーク飽和移動度は約30cm²v^-1s^-1に達し,グラフェンを組み込んでもInGaZnOトランジスタの性能は悪くならない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *グラファイト ,  *複合材料 ,  電極 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  性質 ,  *酸化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  Ramanスペクトル ,  シート抵抗 ,  透明度 ,  電流電圧特性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 透明性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ソース ,  ドレイン ,  酸化インジウムスズ ,  グラフェン ,  多層 ,  トランジスタ