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J-GLOBAL ID：201002213510408159   整理番号：10A0372050

アモルファスシリケート薄膜の伝導率スケーリング挙動

著者 (2件)： 青木芳尚 (北大 大学院) ,  幅崎浩樹 (北大 大学院)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 77th  ページ： 311  発行年： 2010年03月26日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ酸塩 ,  *ハフニウム化合物 ,  *チタン化合物 ,  *ランタン化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *タンタル化合物 ,  *非晶質 ,  *薄膜 ,  *イオン伝導 ,  *電気伝導率 ,  *膜厚 ,  薄膜成長 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  Rutherford後方散乱 ,  電気化学インピーダンス ,  スケーリング【計数】 ,  温度依存性

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  混合伝導  (BM03060U) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (6件)： アモルファス ,  シリケート ,  薄膜 ,  伝導率 ,  スケーリング ,  挙動