文献

J-GLOBAL ID：201002214616010053   整理番号：10A1134902

広井戸InGaN二重ヘテロ構造発光ダイオードの効率低下に及ぼす非対称AlGaN障壁の影響

Effect of an asymmetry AlGaN barrier on efficiency droop in wide-well InGaN double-heterostructure light-emitting diodes

著者 (4件)： LIN Ray-ming (Graduate Inst. of Electronic Engineering and Green Technol. Res. Center, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan) ,  LAI Mu-jen (Graduate Inst. of Electronic Engineering and Green Technol. Res. Center, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan) ,  CHANG Liann-be (Graduate Inst. of Electronic Engineering and Green Technol. Res. Center, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan) ,  HUANG Chou-hsiung (Graduate Inst. of Electronic Engineering and Green Technol. Res. Center, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 18  ページ： 181108  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広井戸InGaN二重ヘテロ構造発光ダイオードの外部量子効率(EQE)と効率低下を調べた。n型GaN層とInGaN井戸の間にAlGaN障壁層を挿入すると,ピークEQEが高くなり,高注入水準での効率低下が軽減した。AlGaN障壁を持たない試料に比べ,電流密度104.3A/cm²及び521A/cm²におけるEQEがそれぞれ5.7%及び25.8%向上した。機構は有効活性領域を拡大する電子減速効果に起因すると示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  素子構造 ,  *発光ダイオード ,  効率 ,  *量子効率 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  アルミニウム化合物 ,  *エネルギー変換効率
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  効率低下 ,  *外部量子効率 ,  *発光効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 井戸 ,  InGaN ,  ヘテロ構造 ,  発光ダイオード ,  効率低下 ,  非対称 ,  AlGaN ,  障壁