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J-GLOBAL ID：201002214759089939   整理番号：10A0955531

標準CMOS技術における集積ISFET計測システム

An Integrated ISFETs Instrumentation System in Standard CMOS Technology

著者 (3件)： CHAN Wai Pan (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  PREMANODE Bhusana (Imperial Coll. London, London, GBR) ,  TOUMAZOU Christofer (Imperial Coll. London, London, GBR)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 45  号： 9  ページ： 1923-1934  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.18μm 1-ポリ-6-金属標準CMOS技術における集積イオン感知電界効果トランジスタ(ISFET)装置システムについて述べた。この装置は,グローバル負電流フィードバック技術に基づいた平均化アレイを用いることにより,不明確なISFETしきい値電圧を調整した。さらに,信号増幅を,マイクロワット電力VCOを使用して周波数領域に達成し,ベースバンド信号を周波数調整信号に変換した。独立Q制御とともに,広い電圧チューニング範囲は,対数領域VCOを良好な周波数変調器にした。この開発研究は携帯型計測器への用途を意図したものである。

シソーラス用語： CMOS構造 ,  *MOS集積回路 ,  計測システム ,  *ISFET ,  電流モード回路 ,  帰還回路 ,  演算増幅器 ,  周波数変調 ,  アレイ回路 ,  VCO【発振器】 ,  ΔΣ変調 ,  半導体チップ ,  *pHセンサ ,  水素イオン濃度 ,  イオンプローブ ,  MOS構造 ,  *センサ

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 標準 ,  CMOS技術 ,  集積 ,  ISFET ,  計測システム