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J-GLOBAL ID：201002214969348538   整理番号：10A0776987

フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価

Fabrication and characterization of InAs ultra-thin films on flexible substrates

著者 (5件)： 滝田隼人 (北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ) ,  橋本紀彦 (北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ) ,  工藤昌宏 (北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ) ,  赤堀誠志 (北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ) ,  鈴木寿一 (北陸先端科学技術大学院大 ナノマテリアルテクノロジーセ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 80(ED2010 33-47)  ページ： 5-9  発行年： 2010年06月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 格子不整成長した狭ギャップ化合物半導体のエピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付(van der Waais bonding;VWB)に基づき,フレキシブル基板上InAs超薄膜を形成した。順/逆VWB,および貼付後のウエットエッチングによるInAsデバイス層活性領域の薄層化を検討しつつ,膜厚~100nmで~10000cm²/V-s,膜厚≦20nmという超薄膜においても~7000cm²/V-sという極めて高い電子移動度を有する,フレキシブル基板上InAs Hallバーデバイスを実現した。この電子移動度は,フレキシブル基板上薄膜としても,InAs薄膜としても,これまでで最高の値である。(著者抄録)

シソーラス用語： フレキシブル基板 ,  ヒ化インジウム ,  *超薄膜 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  格子欠陥 ,  化合物半導体 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： InAs ,  格子不整 ,  電子移動度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (12件)：

• TAKUSHIMA, M. Japanese Journal of Applied Physics. 2008, 47, 1469
• CHEN, W. Applied Physics Letters. 2008, 92, 212109
• KONAGAI, M. Journal of Crystal Growth. 1978, 45, 277
• YABLONOVITCH, E. Applied Physics Letters. 1987, 51, 2222
• JEONG, Y. Applied Physics Express. 2008, 1, 021201

タイトルに関連する用語 (5件)： フレキシブル基板 ,  InAs ,  超薄膜 ,  作製 ,  評価